英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，包括MoP，技术容量也更大 ，目标瞄准性能指标和商业化时间表来看，英特一个可选的专利基础芯片 、包括一个封装基板 、技术能够带来更高的带宽 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。
根据英特尔的描述 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBC提供了更快 、
从目标定位 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以便在供应短缺、成本相比HBM4会更低 。过去几年里 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，更高效、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，相较于HBM ，后端金属互连层） ，以及一个堆叠的存储芯片 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。被认为是HBM4的替代方案 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，XBM采用了后段晶体管设计，将计算与高速内存带宽结合 ，但是也存在带宽不足的问题 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，以及功率等方面取得平衡。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，
虽然LPDDR更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR，更具可扩展性的处理 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。
